對巨磁電阻效應的研究就是磁電子學的個重要內(nèi)容。磁場作用于磁性多層膜中導電電子的自旋，導致膜電阻發(fā)生很大的變化，這種變化可以通過測量電阻或以電壓方式反映出來。根據(jù)這種特點可以在許多域得到應用。

產(chǎn)品型號：DP-GMR-2

更新時間：2017-11-12

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專用儀器儀表

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巨磁阻效應實驗儀/磁阻效應實驗器型號:DP-GMR-2

巨磁阻效應實驗儀/磁阻效應實驗器產(chǎn)品簡介:
對巨磁電阻效應的研究就是磁電子學的個重要內(nèi)容。磁場作用于磁性多層膜中導電電子的自旋，導致膜電阻發(fā)生很大的變化，這種變化可以通過測量電阻或以電壓方式反映出來。根據(jù)這種特點可以在許多域得到應用。
本實驗儀器采用新型巨磁阻傳感器，可在微弱磁場中發(fā)生巨磁阻效應，操作簡單，使用安，方便，幫助同學們從實驗現(xiàn)象和數(shù)據(jù)中，了解巨磁阻效應的原理和應用，掌握巨磁阻傳感器的原理和應用。
可開設的實驗：
1、了解巨磁阻效應原理，掌握巨磁阻傳感器原理及其特性。
2、學習巨磁阻傳感器的定標方法，用巨磁阻傳感器測量弱磁場。
3、測量巨磁阻傳感器敏感軸與被測磁場間夾角與傳感器靈敏度的關系。
4、測量巨磁阻傳感器的靈敏度與作電壓的關系。
主要參數(shù)：
1、巨磁阻傳感器：靈敏度3.3mV/V·Gs～4.0 mV/V·Gs；線性范圍：–8.0Gs～+8.0Gs；飽和磁場15Gs。
2、傳感器作電源：4V～15V連續(xù)可調(diào)。
3、傳感器測量信號4位半LED顯示。
4、亥姆霍茲線圈：線圈有效半徑110mm；單個線圈匝數(shù)500匝；二線圈中心間距110mm；溫升不大于10℃的zui大負荷電流不小于0.5A。
5、內(nèi)置恒流源分: 輸出電流：0～0.5A，zui大電壓 24V；3位半LED顯示，zui小分辨率 1mA